据分析公司Yole Développement的预测，到2012年GaN、蓝宝石和GaAs衬底市场很雄厚，原因是化合物半导体的发展削弱了硅在整个晶片领域的地位。

   在三月发布的“化合物半导体材料报告”中，Yole表示，化合物衬底在所有晶片半导体的总占有率从2005年的53%上升至去年的64%。该公司也指出，低成本和大面积的衬底有助于进一步提高其占有率，到2012年将上升至84%。

   LED市场是蓝宝石衬底增长趋势的典型代表，蓝宝石从2"直接升级至4"。直到2012年，蓝宝石衬底的销售额以20%的速度逐年递增。蓝宝石用于GaN LED的生长，使得化合物半导体市场的总占有率从2005年的27%提高至32%。

   包括半导体和半绝缘材料在内，GaAs衬底市场的销售额增长率有些降低，达到10%。然而，蜂窝电话功率放大器对半绝缘GaAs衬底的需求，使得GaAs衬底占去年半导体衬底市场64%的份额，所以10%增长率的威力还是不可小觑。其中，Freiberger、Sumitomo Electric（住友电工）和Hitachi  able（日立电线）是前三位GaAs衬底供应商，而前六或前七大芯片制造商绝大多数正在使用6"的半绝缘GaAs衬底。

   GaN衬底价格昂贵，但吸引越来越多的应用市场；GaN是整个半导体衬底市场年增长率最高的一项，为125%，目前的市占率是0.1%。

   InP和SiC衬底还是化合物市场的小份额，到2012年的年增长率分别是7%和5%。而针对功率和射频器件应用的SiC衬底将在现有面积上百万平方英寸的基础上每年以35%的速度增长着。然而，衬底供应商在不断增多，他们将通过供应越来越便宜的衬底来改变上述格局。

   化合物半导体衬底晶片的加工面积（百万平方英尺：Msi）增长得比硅的要快；这种增长从2005年持续到2012年。

   (编辑:xiaoyao)